威廉·肖克利简介

姓名（中文）：威廉·肖克利

姓名（英文）：WilliamShockley

机构与职务：1955年在硅谷创办肖克利半导体实验室，担任主任

出生年月：1910年2月13日出生，1989年去世

出生国家、地点：英国伦敦

教育背景：1936年，麻省理工（MIT）获固体物理学博士学位

1932年，在加州理工学院获学士学位

职业背景：1963年开始，担任斯坦福大学教授

1936－1955年，贝尔实验室晶体管物理部主任

1955－1963年，在硅谷创办肖克利半导体实验室

1936年，麻省理工(MIT)获固体物理学博士学位1932年，在加州理工学院获学士学位

1963年开始，担任斯坦福大学教授1955-1963年，在硅谷创办肖克利半导体实验室1936-1955年，贝尔实验室晶体管物理部主任。

30年代的HP是硅谷的源头。但真正使这块土地燃起电子之火，还要等另一位大人物驾到，这就是物理学家威廉·肖克利博士。是博士非凡的商业眼光，创造了硅谷；也是博士拙劣的企业才能，成就了硅谷。他是硅谷的第一公民，也是硅谷的第一弃儿。

肖克利，1910年生于伦敦。3岁随父母举家迁往加州。从事矿业的双亲从小灌输科学，加上中学教师斯拉特的熏陶，他考入了加州理工学院，后进入麻省理工(MIT)，修成博士后留校任教。不久，贝尔实验室来"挖角"，其中就有他。1947年，肖克利与另两位物理学家共同发明了晶体管。这个用来代替真空管的电子信号放大元件，成为电子工业的强大引擎，被媒体和科学界称为“20世纪最重要的发明”。

肖克利很想成为百万富翁。1955年，他回到老家圣克拉拉谷。这里，无论是气

在贝尔实验室期间与人共同发明晶体管，被媒体和科学界称为“20世纪最重要的发明”。和另两位同事荣获1956年度的诺贝尔物理学奖。他率先引导“硅谷”走向电子产业新时代。他获得了90多项发明专利。

肖克利在英国伦敦出生，父母是美国人。他在加利福尼亚州长大并于1932年本科毕业于加州理工学院。1936年他获得了麻省理工学院博士学位，其博士论文题目为计算氯化钠晶体内的电子密度函数。1936-1955年期间他在贝尔实验室工作，曾任晶体管物理部主任。1938年获第一个专利“电子倍增放电器”。1947年与他人合作发明了晶体管。1951年他成为美国国家科学院院士。1955年，他在加州芒廷维尤创立了「肖克利实验室股份有限公司」，聘用了很多年轻优秀的人才。但很快肖克利个人的管理方法因其公司内部不合，八名主要员工（八叛逆）于1957年集体跳槽成立了仙童半导体公司，后来开发了第一块集成电路。而肖克利实验室则每况愈下，两

二战结束后，贝尔实验室开始研制新一代的电子管，具体由肖克利负责。1947年圣诞节前两天的一个中午，肖克利的两位同事沃尔特·布莱登（WalterBrattain）和约翰·巴丁（JohnBardeen），用几条金箔片，一片半导体材料和一个弯纸架制成一个小模型，可以传导、放大和开关电流。他们把这一发明称为“点接晶体管放大器”（Point-ContactTransistorAmplifier）。

不过，肖克利虽然是巴丁和布莱登两个人的上司，但是他却并不能够自动的列名为点接触晶体管的发明人。点接触晶体管的专利和发表的论文都只有巴丁和布莱登两个人的名字。对此，肖克利大为失望，也激发了他发明的潜力。1948年1月23日，也就是点接触晶体管发明整整一个月的时候，肖克利想到了结型晶体管的方法。结型晶体管所有的作用都是在半导体内部完成的，这就可靠的多了。结型晶体管为固态电子指出了道路，也成了真正有用的晶体管。19