吴汉明简介
基本资料
中文名：吴汉明
国籍：中国
出生日期：1952年06月
毕业院校：中国科学院力学研究所
职业：科研工作者
主要成就：2019年当选中国工程院院士
人物经历
1952年6月，吴汉明出生，初中还没念完就遇到文革下乡种地。
1976年，从中国科学技术大学毕业。
1978年，成为“文革”后第一批硕士研究生。
1987年，从中国科学院力学研究所毕业，获得等离子体和磁流体力学博士学位；博士毕业后先到美国得克萨斯大学奥斯汀分校和加利福尼亚大学伯克利分校进行博士后研究，同时在加州诺发公司和英特尔公司任高级研发工程师。
1993年，归国后晋升为中国科学院力学研究所工作。
1994年，被破格提升为研究员。
1995年，到美国阿拉巴马一家公司工作，两年便研发出世界第一套可商业化的等离子体工艺模拟的软件。
1999年，加盟英特尔，成为主任工程师。
2001年，进入中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，担任技术总监。
2010年，被选为中国国际半导体技术年会（CSTIC2010）大会主席。
2011年，被推荐为中国工程院院士正式候选人。
2013年，被评为北京市首批“北京学者”。
2015年，
主要成就
吴汉明科研成就
科研综述
吴汉明研发高密度等离子体刻蚀，研究理论和实验结果表明其等离子体密度达到深亚微米刻蚀的要求，研究结果申报了国家发明专利，发表在国际专业期刊杂志上并得到广泛引用。研发了世界上第一套可以进行等离子体工艺模拟的商业软件并得到广泛使用。2001年进入中芯国际集成电路制造（北京）有限公司后，组建了先进刻蚀技术工艺部，领导了0.13微米刻蚀工艺，在中国实现了用于大生产的双镶嵌法制备工艺，为中国首次实现铜互连提供了工艺基础。
论著专利
截至2014年10月，吴汉明在中国国内外主流刊物和会议上发表论文100多篇；申报发明专利84项，其中24项是国际专利。
承担项目
项目名称 | 项目来源，担任职务 |
|---|---|
65-45-32纳米CMOS产品成套工艺和产业化 | 国家十一五02重大专项，项目总负责人 |
32/28纳米CMOS成套产品工艺和产业化 | 国家十二五重大专项，项目首席科学家 |
纳米磁性自旋存储器和半导体硅量子点存储器的研制及 |
社会任职
时间 | 担任职务 |
|---|---|
2010年 | 北京市经济开发区首批特聘专家 |
2012年11月 | 北京市第十四届人民代表大会代表 |
2014年06月 | 河北工业大学荣誉教授 |
2019年12月20日 | 全国集成电路“创业之芯”大赛专委会成员 |
北京大学软件与微电子学院集成电路与智能系统系系主任 | |
2022年8月11日 | 中芯国际独立非执行董事、董事会提名委员会成员及战略委员会成员 |
人物评价
吴汉明开创了高端集成电路产品中国国内设计和制造的先河。（光明网评）
吴汉明把个人的喜怒哀乐和中国芯片事业的发展紧紧捆绑在了一起，对中国芯片事业发展做出了的贡献。（《科技日报》评）
吴汉明十分热心地参加为贫困居民救助捐款等公益活动。他义务参加了由北京经济开发区策划的“集成电路制造技术发展”的科普影视片拍摄，向全社会普及集成电路的常识，为提高全民科学素质和科学知识努力贡献自己的力量。（《人民日报海外版》评）