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罗毅简介

淘名人 2024-01-12 22:11 热度:

罗毅

罗毅,1960年2月出生于北京,籍贯四川资阳,半导体光电子技术专家,中国工程院院士,清华大学电子工程系教授,北京信息科学与技术国家研究中心副主任。罗毅于1983年获得清华大学学士学位;1987年获得日本东京大学硕士学位;1990年获得日本东京大学博士学位;1990年4月—1992年3月任日本光计测技术开发株式会社中央研究所研究员;1992年4月—1992年12月任清华大学电子工程系讲师;1992年12月起任清华大学电子工程系教授;1997年—2012年任集成光电子学国家重点联合实验室主任;2021年当选为中国工程院院士。罗毅主要从事高速光电子器件研究。

基本资料

中文名:罗毅

国籍:中国

民族:汉

出生地:北京

出生日期:1960年2月

毕业院校:东京大学

职业:教育科研工作者

主要成就:2021年当选为中国工程院院士

籍贯:四川资阳

学位/学历:博士研究生

人物经历

1960年2月,罗毅出生于北京。

1983年,获得清华大学学士学位。

1987年,获得日本东京大学硕士学位。

1990年,获得日本东京大学博士学位。

1990年4月—1992年3月,任日本光计测技术开发株式会社中央研究所研究员。

1992年4月—1992年12月,任清华大学电子工程系讲师。

1992年12月起,任清华大学电子工程系教授。

1995年,获得国家杰出青年科学基金资助。

1997年—2012年,任集成光电子学国家重点联合实验室主任。

2021年,当选为中国工程院院士。

主要成就

罗毅科研成就

科研综述

罗毅主要研究化合物半导体光电子器件及其集成应用技术,包括激光器、LED、光调制器、光探测器,及其在光纤通信、宽带信息感知、半导体照明等领域的应用。

罗毅致力于研究增益耦合分布反馈激光器,与电吸收调制器单片集成的增益耦合半导体激光器,以及其他种类的半导体光电器件;利用分子束外延(MBE)首次研制出带有损耗光栅的GaAlAs/GaAs多量子阱增益耦合DFB激光器,以及带有电吸收调制器的单片集成增益耦合DFBB激光器;提出并使用LPE和MOVPE混合生长法得到周期调制载流子光栅的新型1.55微米InGaAsP/InP增益耦合DFB激光器结构;利用LPE制得了1.3微米的InGaAsP/InP增益耦合DFB激光器;他的研究小组成功研制出了1.55微米InGaAsP/InP增益耦合DFB激光器和电吸收调制器的集成器件,这些器件可分别应用于2.5Gb/s,10Gb/s和40Gb/s的高

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社会任职

时间

担任职务

2022年10月

《中国激光》执行主编


国务院学位委员会第六届学科评议组电子科学与技术学科召集人


国务院学位委员会第七届学科评议组电子科学与技术学科召集人


第四届国家973计划信息科学领域专家咨询组副组长


863—8领域量子技术主题专家


《日本应用物理学杂志(Japanese Journal of Applied Physics)》海外编辑


《应用物理学快报(Applied Physics Express)》海外编辑


欧洲光通信会议(ECOC)程序委员会委员


《量子电子学杂志(Journal of Quantum Electronics)》编委


《光波技术杂志(Journal of Lightwave Technology)》编委

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人物评价

“罗毅是国际公认的优秀光源增益耦合DFB激光器的开创者之一。”(《新京报》评)

“罗毅在支撑半导体照明、宽带光纤网络的光电子器件和工程化核心技术领域作出了突出贡献。”(清华大学评)