施敏简介
基本资料
中文名：施敏
外文名：Simon M·Sze
国籍：美国
出生地：中国江苏省南京市
出生日期：1936年03月21日
毕业院校：斯坦福大学
职业：教学科研工作者
代表作品：半导体元件物理学
主要成就：1994年当选为台湾中央研究院院士 1995年当选为美国国家工程院院士 1998年当选为中国工程院外籍院士
人物经历
1936年3月21日，施敏出生于中国江苏省南京市，之后随家人前往台湾，父亲施家福在台湾省立台北工业专科学校（现台北科技大学）矿冶工程科任教。
1957年，毕业于台湾大学电机系，之后赴美留学。
1960年，获得华盛顿大学电机系硕士学位。
1963年，获得斯坦福大学电机系博士学位，博士毕业后，在斯坦福大学教授JohnMoll推荐下进入贝尔实验室工作，在此工作直到1989年退休。
1966年夏，施敏在台湾学界的邀请下回到台湾讲课，在台湾清华大学暑期举办了两个月的讲座。
1968年，选择留职停薪，把贝尔实验室的工作停摆了下来，回到台湾于台湾交通大学担任董浩云讲座教授一年，在电子研究所开设《半导体元件物理》《固态电子元件实验》两门课程。
1969年初，以论文《金属半导体薄膜结构之特性》获得中山学术著作奖。同年7月参与创办台湾第一家半导体公司环宇电子股份有限公司，担任技术顾问，而任职的工程人员包括宏碁集团创始人施振
主要成就
施敏科研成就
科研综述
1967年，施敏与韩裔美国人姜大元（Dawon Kahng）休息吃甜点时，用了一层又一层的涂酱，触动施敏与他二人的灵感，想到在金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）中间加一层金属层，结果发明了非挥发性记忆体（Flash），5月两人在《贝尔系统科技期刊》（The Bell System Technical Journal）上发表第一篇关于非挥发性内存的论文“浮闸非挥发性半导体内存细胞元件”，第一次阐述了闪存存储数据的原理技术，随后由贝尔实验室取得专利。
1970年代，时任台湾经济部长孙运璿邀请施敏担任“经济部发展积体电路计画工作小组”成员之一，施敏所提出的最关键建言，就是力荐孙运璿要推动半导体业。
20世纪80年代初，施敏首先以电子束制造出线宽为0.15μm MOSFET器件，首先发现崩溃电压与能隙的关系，建立了微电子元件最高电场的指标。
学术著作
时间 | 名称 | 出版社 | 页数 |
|---|---|---|---|
1969 |
社会任职
时间 | 担任职务 |
|---|---|
1974年 | 工业技术研究院电子研究所顾问 |
1976年 | 台湾经济部发展积体电路计画工作小组委员 |
1990年—2006年 | 台湾交通大学特聘讲座教授 |
1998年—2007年 | 工业技术研究院前瞻技术指导委员会委员 |
2003年 | 上海交通大学名誉教授 |
2007年—2010年 | 台湾交通大学荣誉教授 |
2010年6月 | 台湾交通大学终身讲座教授 |
2014年5月14日 | 哈尔滨工业大学荣誉教授 |
2014年6月 | 台湾科技大学荣誉讲座教授 |
台湾中山大学荣誉讲座教授 |
人物评价
施敏是国际知名的微电子科学技术与半导体器件专家和教育家，是非挥发MOS场效应记忆晶体管（NVSM）的发明者，在金半接触、微波器件及次微米金属半场效应晶体技术等领域都有开创性的贡献，在电子元件领域做出了基础性及前瞻性贡献。（2017IEDMPlenaryAwards评）