马佐平简介
基本资料
中文名：马佐平
外文名：Tso - Ping Ma
国籍：美国
民族：汉族
出生地：中国甘肃省兰州市
出生日期：1945年11月
逝世日期：2021年5月
毕业院校：美国耶鲁大学
职业：教育科研工作者
主要成就：1994年入选IEEE Fellow 2003年当选为美国国家工程院院士 2009年当选为中国科学院外籍院士 2012年当选为中国台湾“中央研究院”院士
原籍：中国浙江省东阳市
人物生平
1945年11月，马佐平出生于中国甘肃省兰州市，原籍浙江省东阳市。
1949年，四岁时随父母到了台湾。
1968年，从台湾大学电机系毕业，此后赴美国留学。
1971年，从美国耶鲁大学毕业，获得硕士学位。
1974年，从美国耶鲁大学毕业，获得博士学位。
1974年—1975年，担任国际商业机器公司（IBM）系统产品部高级副工程师。
1975年—1977年，担任IBM系统产品部正工程师。
1977年—1985年，担任耶鲁大学电机系及应用物理系副教授。
1983年，担任美国加州大学柏克莱分校访问员。
1985年，晋升为教授。
1988年—1991年，担任耶鲁大学电机系代理系主任。
1991年—1995年，担任耶鲁大学电机系主任。
1994年，入选IEEEFellow。
1999年—2016年，担任耶鲁大学电机系微电子中心共同主任。
2000年—2007年，担任耶鲁大学电机系主任。
2002年7月，担任耶鲁大学RaymondJo
主要成就
马佐平科研成就
科研综述
马佐平于1970年始在做超薄（～4纳米）栅氧化硅研究中指出隧穿电流对MOS特性的重要影响，发现了辐射效应或热载子效应所产生的界面陷阱与在界面附近的应变分布有直接的关联，而据此提出一个“栅诱导的应变分布”模式来解释实验的结果，推出在栅氧化硅内掺入极小量的诸如氟、氯或氮等杂质来促成应变的弛豫以降低辐射或热载子效应的方法。发现了一个在经历辐照MOS内的界面陷阱的转型现象，并随后对此做了系统的研究。他最先提出用氮化硅（Si3N4）做MOS栅介质以取代二氧化硅（SiO2）的概念并首先用实验证明其可行性，推动了引入用更高介电常数的栅介质的理念，进而推展未来的MOS科技。Intel、IBM等公司宣布量产High-k Gate Dielectrics的芯片， 正式实践了马佐平早期理念。他的研究小组创先使用“非弹性电子隧道谱”（IETS）的方法来探测超薄高介电常数的介质内的微结构、微缺陷
社会任职
时间 | 担任职务 |
|---|---|
1998年 | 中国科学院新疆物理所名誉教授、天津大学名誉教授、台湾交通大学名誉教授、北京清华大学、北京大学名誉客座教授、复旦大学名誉顾问教授 |
2001年—2011年 | 旺宏电子股份有限公司顾问 |
2001年—2014年 | 台湾积体电路制造股份有限公司顾问 |
2003年—2006年 | 台湾工业研究院纳米科技顾问委员会委员 |
/ | 福建省信息产业专家委员会委员 |
/ | 福建省人民政府顾问 |
/ | 苏州工业园区微电子业首席顾问 |
/ | 中华人民共和国信息产业部十五、十一五规划顾问 |
人物评价
马佐平对金属/氧化物/半导体（MOS）的科学认知及技术发展，尤其是在MOS栅介质(包括高介电常数的栅介质）的科技领域做出重要贡献。（中国科学院评）
马佐平专注于科学研究并取得卓越成就，他对科学的贡献享誉全世界！（中共东阳市委统战部、东阳市乡贤联谊总会评）