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卓以和简介

淘名人 2024-01-30 10:34 热度:

卓以和

卓以和,1937年生于北京,电机工程学家,美国朗讯科技公司(AT&T公司)贝尔实验室半导体研究室主任、半导体研究所所长、教授。1955年卓以和赴美留学;1960年从美国伊利诺斯大学毕业;1961年获伊利诺伊大学硕士学位;1968年获伊利诺伊大学博士学位;1985年获选为美国科学院院士;1996年当选为中国科学院外籍院士。卓以和主要从事分子束外延、人工微结构材料生长和在新型器件研究领域的研究。

基本资料

中文名:卓以和

外文名:Alfred Y.Cho

国籍:美国

民族:汉族

出生地:北京

出生日期:1937年

毕业院校:伊利诺伊大学

职业:教育科研工作者

主要成就:1993年美国国家科学奖章 1985年当选为美国科学院院士 1985年当选为美国工程院院士 1989年当选为美国科学与艺术院院士 1996年当选为中国科学院外籍院士

人物经历

1937年,卓以和出生于北京。

1949年,来香港,曾就读于培正中学。

1955年,赴美留学。

1960年,毕业于美国伊利诺斯大学。

1961年,获伊利诺伊大学硕士学位。

1968年,获伊利诺伊大学博士学位。

1985年,当选为美国科学院院士;同年,当选为美国工程院院士。

1989年,当选为美国科学与艺术院院士。

1996年,当选为中国科学院外籍院士。

2009年2月11日,美国专利商标局公布2009年度入选“全国发明家名人堂”的名单,卓以登上“美国发明家名人堂”。

主要成就

卓以和科研成就

科研综述

卓以和对Ⅲ-V族化合物半导体、金属和绝缘体的异质外延和人工结构的量子阱、超晶格及调制掺杂微结构材料系统地开展了大量先驱性的研究工作。用研制的新材料,最先研究成功10多种极为重要的、性能优异的新型微波高速电子器件和光电子器件。他又领导AT&TBell实验室半导体研究所的合作者,开创性地研制成功量子阱级联式新型激光器,被认为是半导体激光器发展中的又一个里程碑。

卓以和人才培养

教学理念

卓以和认为要在学业上取得成功,“要有充足的自信心,并坚持向着你的目标努力才能使你的工作成功;要保持乐观精神,多看一下每一件事的正面。另外,还要做你喜欢的事,这样才能在做事的过程中找到乐趣。”

卓以和直言不讳地指出,中国评审制度要从四方面改善:不是只以发表学术期刊文章数量为标准;真正创新基础研发不一定要在科学期刊上发表;不能期待要在短期内就能赚大钱,想要在三年内把所有钱回收;科学规划和评审要多

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社会任职

2014年,卓以和被聘为国务院侨办第四届海外专家咨询委员会委员。

个人生活

家庭背景

卓以和的父亲卓宜来毕业于哥伦比亚大学,曾在中国燕京大学教授政治学,并为著名银行家。

人物评价

卓以和是国际公认的分子束外延、人工微结构材料生长和新型器件研究领域的奠基人与开拓者,对中国发展分子束外延技术极为关切,给予了关键性指导,与中国同行建立了深厚友谊,对促进中美两国学术交流,提高中国在国际学术界的地位和影响作出了重要贡献。(中国科学院评)

在中国传统文化礼教影响下,卓以和有着温文敦厚的言行举止及谦和无私的个性,因而受到同事们一致的尊崇爱戴。(中国网评)

人物影响

2004年,MBE群体捐赠出一笔资金成立“卓以和奖”,每隔一年的9月初,在MBE国际大会上颁发。