郑耀宗简介

1939年2月9日，郑耀宗出生于香港，籍贯广东中山三乡镇平南村。

1963年，从香港大学本科毕业，获得理学士学位，之后赴加拿大留学。

1967年，从加拿大不列颠哥伦比亚大学（UniversityofBritishColumbia）毕业，获得博士学位。

1989年—1996年，担任香港城市理工学院（现香港城市大学）院长。

1995年—1996年，担任香港城市大学校长。

1996年—2000年，担任香港大学校长。

1999年，当选为中国科学院院士。

2000年9月，因为“港大民调风波”，在多方压力下辞去香港大学校长职务。

科研成就

科研综述

郑耀宗发明了掺氯化氢硅氧化技术，解决了当时金属—氧化硅—硅（MOS）器件和集成电路阈值电压漂移、不能稳定工作的难题，使MOS器件和电路的性能、可靠性和成品率提高。在国际上首先提出了MOS反型层载流子表面粗糙度散射理论，在MOS集成电路进入深亚微米阶段后，这一机理已成为决定MOS反型层载流子迁移率的主要因素，这是对MOS器件物理的一大发展。他是较早开展氮化硅技术的研究者之一。在深亚微米器件模型研究工作中取得重要成果。

人才培养

教育思想

2007年1月9日，郑耀宗来到广东实验中学，旁听了一节高一物理课，和学生们进行了面对面的交流对话。他说“我只想把我的人生经验告诉你们，不要太短视，不要急于求成，一定要把兴趣放在有用的学科上。”

讲座报告

2014年5月16日，中山市科学技术协会特别邀请郑耀宗在中山市第一中学主讲《中山院士论坛》——“求学、研究和人生”。

高校治理

郑耀宗担任香港大学校长期间，

郑耀宗是微电子领域的著名专家，又曾长期担任世界著名高校校长，在治学和治校方面都取得一流成就。（电子科技大学校党委副书记王亚非评）

郑耀宗在学术界的经验，和他作为香港城市理工学院前院长的成就，以及他广泛的社会关系，都得到了香港大学遴选委员会的赞赏。（香港大学评）