秦国刚简介
基本资料
中文名：秦国刚
国籍：中国
民族：汉族
出生地：江苏省南京市
出生日期：1934年3月19日
职业：教育科研工作者
毕业院校：北京大学
主要成就：2001年当选为中国科学院院士
性别：男
原籍：江苏省昆山市
人物经历
1934年3月19日，秦国刚出生于江苏省南京市，原籍江苏省昆山市。
1956年7月，从北京大学物理系本科毕业，之后在该系读研究生，师从物理学家黄昆教授，研究方向为固体物理学。
1961年2月，从北京大学物理系研究生毕业后留校任教。
1962年至1970年，担任北京大学物理系讲师。
1970年至1979年，担任北京大学汉中分校无线电系讲师。
1979年至1985年，担任北京大学物理系副教授。
1985年，担任北京大学物理系（2001年以后物理学院）教授。
1986年，被评为北京大学物理系博士生导师。
2001年，当选为中国科学院院士。
主要成就
秦国刚科研成就
科研综述
秦国刚在半导体杂质与缺陷领域研究中，最早揭示硅中存在含氢的深中心发现退火消失温度原本不同的各辐照缺陷在含氢硅中变得基本相同发现氢能显著影响肖特基势垒高度。测定的硅中铜的深能级参数被国际权威性半导体数据专著采用。在多孔硅和纳米硅镶嵌氧化硅光致发光和电致发光方面的研究中，对光致发光提出量子限制－发光中心模型，得到国际广泛支持发现p型硅衬底上氧化硅发光中心电致发光现象，在此基础上，设计并研制出一系列硅基电致发光新结构。所提出的电致发光机制模型被广泛引用。
学术论著
根据2020年4月北京大学物理学院网站显示，秦国刚发表合作SCI论文超过250篇。
科研成果奖励
获奖时间 | 项目名称 | 奖励名称 |
|---|---|---|
1978年 | 单晶硅中氢的行为和与氢有关的缺陷 | 国家教委科技进步一等奖，排名第一 |
2005年 | 纳米硅/氧化硅材料体系发光及其物理机制 | 北京市科学技术奖一等奖，排名第一 |
2007年 | 纳米硅/纳米氧化硅体系发光及其物理机制 |
个人生活
在秦国刚看来，科研与业余爱好并不矛盾，当遇到难以攻克的问题时，适当的放松或许能给自己一点空间。听古典音乐、欣赏中外绘画、看历史题材的书籍和电视剧都是他紧张工作之余的消遣方式。历史赋予他厚重，音乐赋予他灵感，他希望这样能够保持思维的灵敏，能够较持久地进行科研。
人物评价
秦国刚在科研岗位上奋斗了半个世纪，他以极大精力投入到为国家培养科技人才的光荣事业中，为弘扬科学精神、传承科学文化起到了重要作用。他始终怀着满腔的爱国热情，忠诚于党和人民的事业。他秉承严谨求学的治学态度和淡泊明志的高尚情操，无私奉献、呕心沥血、教诲提携，为中国的半导体科学和教育事业做出了突出贡献。（北京大学评）
秦国刚教授教书育人，以身作则，循循善诱，诲人不倦。（何梁何利基金会评）