刘明简介
基本资料
中文名：刘明
外文名：Liu Ming
国籍：中国
出生地：江西丰城
出生日期：1964年4月
毕业院校：北京航空航天大学、合肥工业大学
职业：教学科研工作者
主要成就：2015年当选中国科学院院士 2018年当选发展中国家科学院院士
籍贯：安徽宿州
学位：博士
性别：女
人物经历
1964年4月，刘明出生于江西丰城市，籍贯安徽宿州。
1985年，刘明从合肥工业大学本科毕业，获得学士学位。
1988年，刘明从合肥工业大学硕士研究生毕业，获得硕士学位。
1998年，刘明从北京航空航天大学博士研究生毕业，获得博士学位。
2000年，刘明被聘为中国科学院微电子研究所研究员和纳米加工与新器件集成技术研究室主任。
2008年，刘明获得国家杰出青年科学基金资助。
2015年7月31日，刘明入选中国科学院院士增选初步候选人名单，12月7日当选中国科学院院士。
2018年1月25日，刘明出任中国科学技术大学国家示范性微电子学院院长，同年当选发展中国家科学院院士。
2022年8月11日晚间，中芯国际在港交所公告，委任独立非执行董事刘明院士担任董事会审计委员会成员，自2022年8月11日起生效。
主要成就
刘明科研成就
科研综述
刘明长期从事半导体存储器和集成电路的微纳加工等方面的研究，阐明了阻变存储器机理，建立了相应的物理模型；提出了功能层掺杂和局域电场增强的阻变存储器性能调控方法，提高存储器整体性能；拓展了新型闪存材料和结构体系，提出新的可靠性表征技术、失效模型和物理机理；发展了集成电路的微纳加工技术并拓展到禁运的短波衍射元件研制中。
刘明在国际上首次采用软X射线曝光技术实现了256位分子存储器；在32nm技术节点以下的非挥发性存储器替代方案上，提出了利用金属掺杂的技术手段来提高阻变存储器（RRAM）性能和成品率的方法，成为国际上最早提出此概念的两个小组之一，在渐进型的非挥发性存储器替代方案上，着眼于纳米晶浮栅存储结构（Nano-Floating Gate）。
学术论著
截至2017年7月，刘明发表SCI收录论文250多篇，SCI他引超过2800次，6篇论文入选ESI高被引论文榜，两项工作列入201
社会任职
时间 | 担任职务 |
|---|---|
2017年11月— | IEEE, Fellow |
2016年01月— | 《the EDS Newsletter》Regional Editor |
2016年01月— | IEEE EDS Beijing Chapter 主席 |
2015年01月— | 国家重点研发计划纳米科技重点专项专家组成员 |
2014年01月— | 中国真空学会理事 |
2013年01月— | 《中国科学》编委 |
2011年01月— | IEEE Electron Devices Society, Distinguished Lecturer |
2011年01月— | 《Applied Physics A》编辑 |
2010年12月— | 无锡华润微电子有限公司掩模工厂技术顾问 |
2008年06月— | 中国科学院科学出版社基金 |
2008年04-月— | “纳米科学技术大系”编委会 |
2007年01月— | 中国科学院物理研究所纳米物理与器件实验室学术委员会 |
2006年09月— | 中国仪器仪表学会微纳器件与系统技术分会，第一届 |
人物评价
刘明长期致力于微电子科学技术领域的研究，在存储器模型机理、材料结构、核心共性技术和集成电路的微纳加工等方面做出了系统、创造性贡献。她建立了阻变存储器（RRAM）物理模型，提出并实现高性能RRAM和集成的基础理论和关键技术方法，产生重要国际影响。（中国科学技术大学国家示范性微电子学院评）