雷啸霖简介
基本资料
中文名:雷啸霖
国籍:中国
民族:汉
出生地:广西桂林
出生日期:1938年10月27日
职业:教育科研工作者
毕业院校:北京大学
主要成就:1997年当选为中国科学院院士
人物经历
1938年11月27日,雷啸霖出生于广西桂林。
1940年8月,雷啸霖遭遇了生命里第一次劫数。在日军轰炸桂林时,腿部被炸伤,险些丧命。
1952年至1955年,雷啸霖就读于桂林中学。
1955年,雷啸霖在广西以高考理科总分第一名的成绩踏进了北京大学校门,在物理系学习。
1957年,雷啸霖的父亲因一句“如今农民还很苦”的话被打成右派失业,弟弟在广西大学因病早逝,母亲悲痛欲绝无法继续任教,妹妹因经济拮据而辍学在家,雷啸霖遭受了接二连三的打击。
1963年,雷啸霖于北京大学毕业,雷啸霖被分到山东大学任教,边教学边开始物理研究。
20世纪60年代初,雷啸霖曾与吴杭生教授一道提出超导膜的尺寸非局域效应,建立超导薄膜临界磁场随膜厚度变化的-3/2次方规律;但事业刚开始就遇上了“文化大革命”。尽管他比父亲幸运得多,但还是要在工厂和农村中接受再教育。在那漫长的十余年中,中断了研究工作。
1986年2月,雷啸霖带着妻子回国
主要成就
雷啸霖科研成就
科研综述
雷啸霖长期从事固体材料中的电子输运和超导电性研究。早年与吴杭生教授一道提出超导膜的尺寸非局域效应,导出薄膜临界磁场的d-3/2规律。80年代初,研究超导临界温度级数的收敛行为,Al5化合物、铁磁金属和高阻合金材料的传导规律,以及超导电性与巡游铁磁性和超导电性与电荷密度波共存系统的热力学及光学性质。80年代中期与丁秦生(C.S.Ting)教授合作,创立半导体输运的平衡方程理论。90年代,发展非抛物带电子输运的布喇格散射模型,建立适用于任意能谱材料在电场和磁场中的输运方程。最近,提出研究强远红外辐照下半导体输运性质的一个系统方法。
21世纪初,雷啸霖又发展了光子辅助半导体磁输运的电流控制理论,成功地解释了高迁移率二维系统中微波辐照和电流激发引起的磁阻振荡。
科研成果奖励
1989年,“半导体热载流子输运的平衡方程方法”获得中国科学院自然科学奖二等奖
1994年,“半导体输运理论”获
社会任职
中国科学院上海冶金研究所助理研究员,美国纽约市立大学客座副教授,美国斯梯文理工学院客座教授,中国科学院上海冶金研究所研究员、材料物理研究室主任、学术委员会主任和学位委员会主任
人物评价
他的方法论在世界上掀起了一场旷日持久的学术辩论,持续时间长达七八年;他和另一位物理学家、美籍教授丁秦生提出的“雷-丁理论”,用在器件的设计和器件的模拟中要比前人的方法快几百倍。他赢得了国际科学界的尊重。(广西新闻网记者陈江)
雷啸霖教授用他一生的智慧,为祖国服务。每天每天,他孜孜不倦地在科学的大厦上,印刻着属于自己的那块小小的印记。(中国人民政治协商会议上海市委员会记者顾定海)