黄如简介
基本资料
中文名：黄如
国籍：中国
民族：回族
出生地：江苏省南京市
出生日期：1969年11月
毕业院校：东南大学、北京大学、无锡市第一中学、南京市中华中学
籍贯：福建南安
政治面貌：中国共产党党员
发表论文数量：250余篇（截至2019年7月）
职务：东南大学校长
职称：教授
人物履历
1969年11月，黄如出生于江苏省南京市，祖籍为泉州南安丰州镇旭山村社坛自然村。
小学毕业后，黄如进入无锡市第一中学初中部学习，后被保送到无锡市第一中学高中部。
高三时，由于父母工作调动，黄如从无锡市第一中学转学到南京市中华中学。
1987年7月，黄如从南京市中华中学高三（3）班毕业，没有参加高考，直接被保送到时称南京工学院的东南大学。
1991年7月，黄如从东南大学电子工程系毕业，之后继续东南大学就读硕士研究生；
1994年7月，黄如获得东南大学电子工程硕士学位，之后进入北京大学攻读博士学位，研究领域为新器件技术及其应用；
1997年7月，黄如获得北京大学计算机科学与技术系博士学位，毕业后留在北京大学任教，先后担任副教授、教授、博士生导师（2001年破格晋升）；
2005年，黄如入选教育部新世纪优秀人才支持计划；
2006年，黄如获得国家杰出青年科学基金资助；
2014年，黄如开始担任北京大学信息科学技术学
主要成就
黄如科研成就
科研综述
黄如提出并研制出面向低功耗高可靠电路应用的准SOI新结构器件和面向超低功耗电路应用的肖特基-隧穿混合控制新机理器件。发展了适于十纳米以下集成电路的围栅纳米线器件理论及技术，系统揭示了器件关键特性的新变化及其物理根源，提出了可大规模集成的新工艺方法，成功研制出低功耗围栅纳米线器件及模块电路。发现了纳米尺度器件中涨落性和可靠性耦合的新现象及其对电路性能的影响，提出了新的涨落性/可靠性分析表征方法及模型。
学术论著
截至2019年7月，黄如已合作出版著作5本，发表学术论文250余篇，在微电子器件领域标志性国际会议IEDM、VLSI和标志性期刊EDL、TED上发表70余篇论文（自2007年以来连续12年在IEDM上发表论文32篇），多项研究成果连续被列入四个版本的国际半导体技术发展路线图ITRS。
学术交流
截至2018年11月，黄如应邀做国际会议大会和特邀报告40余次，并担任过国际会议
社会任职
时间 | 担任职务 |
|---|---|
2017年06月 | 中共北京市第十二届委员会候补委员 |
2017年10月 | 阿里巴巴达摩院学术咨询成员 |
2020年05月 | 中共北京市第十二届委员会委员（补选） |
2022年10月 | 第二十届中央候补委员 |
“十二五”国家863专家组成员 | |
信息产业科技发展“十一五”计划和2020年中长期规划编制专家组专家 | |
第八届教育部科技委副主任委员 | |
中国仪器仪表学会副理事长 | |
中国微米纳米技术学会副理事长 | |
中国微米纳米技术学会理事 | |
国际会议IEDM2010/IEDM2011的程序委员会委员 | |
IEEE EDS Elected BOG委员 | |
《中国科学：信息科学》副主编 | |
《IEEE Transactions on Electron Devices》编委 | |
《Nanotechnology》编委 | |
中国仪器仪表学会副理事长 | |
中国电子学会常务理事 | |
东南大学校友总会会长、法定代表人 |
人物评价
黄如长期从事集成电路新器件与新工艺研究，在低功耗器件的新机理新结构、纳米尺度器件和关键共性工艺等方面作出系统、创造性贡献，在国际上产生重要影响。（北京大学评）