郑厚植简介
基本资料
中文名：郑厚植
国籍：中国
出生地：江苏常州
出生日期：1942年8月
职业：教育科研工作者
毕业院校：清华大学
主要成就：1995年当选为中国科学院院士
人物经历
1965年，郑厚植从清华大学无线电电子学系半导体物理专业毕业，获得学士学位。
1965年10月至1978年12月，在中国科学院半导体研究所担任研究实习员，助理研究员。
1978年12月，担任中国科学院半导体研究所副研究员。
1979年02月至1981年09月，作为AlexanderVonHumboldt基金会奖学金获得者，在西德慕尼黑技术大学物理系从事研究工作。
1981年10月至1983年10月，在中国科学院半导体研究所担任“六五”中国科学院重点课题“二维电子气物理”课题组组长。
1983年11月至1986年04月，参与中国科学院和美国物理学会关于原子、分子和凝聚态物理合作研究备忘录计划，在美国普林斯顿大学（PrincetonUniversity）电机工程系从事研究工作。
1986年，担任中国科学院半导体研究所研究员。
1989年至1995年，担任半导体超晶格国家重点实验室主任。
1990年，被聘为中国科
主要成就
郑厚植科研成就
科研综述
郑厚植自1979年以来长期从事半导体低维量子结构物理及新器件探索，所在的半导体超晶格国家重点实验室具备先进而齐全的超薄半导体材料生长，光学/电学测试手段。包括：4台分子束外延系统（MBE）（1新、3旧）；各种稳态、时间分辨和非线性光谱系统（飞秒瞬态激光光谱，拉曼光谱，付里叶光谱，PL、PLE光谱，磁光和时间分辨法拉第旋转光谱）；低温强磁场系统和各种电学测试手段。研究所新建的“半导体集成技术中心”可以提供先进而配套的纳米加工手段。
郑厚植在半导体低维量子结构中的新效应研究方面取得多项重要成果：首次揭示了量子霍耳效应的尺寸效应和霍耳电势的空间分布特性；首次提出了用分裂栅电极实现准一维电子气的办法，揭示了准一维电子气的新奇量子特性，该方法已扩展成为制备和调控量子比特的重要方案之一；提出了空穴间多体相互作用诱导的磁阻理论并予以了实验验证；研究采用量子效应的新型量子器件等方面做出了
社会任职
时间 | 担任职务 |
|---|---|
1988年至1989年 | 中国高等科学技术中心（CCAST）特别成员 |
国家纳米科学技术中心顾问委员会 | |
科技部“量子调控“研究重大科学研究计划专家组等成员 | |
清华信息科学与技术国家实验室（筹）理事会 | |
中国科学院凝聚态物理国家实验室（筹）理事会等成员 | |
中国物理学会、中国电子学会理事、半导体物理专业委员会主任 | |
英国物理学院（institute of Physics，IOP）高级成员 | |
《Semiconductor Science and Technology》国际编委 | |
《Microelectronics Journal》国际编委 | |
《中国科学》物理学编委会等的执行副主编、编委 |
人物评价
郑厚植在1024位动态RAM芯片的动态逻辑电路、版图总体设计和逻辑功能检测等方面做了一系列先驱性工作，推动了中国国内DRAM研制的起步。（何梁何利基金会评）
郑厚植在半导体低维物理的系统研究中取得多项重要成果。在朗道态密度测量和低维激子光谱等方面作出许多有价值的成果。（北京邮电大学评）