王广厚简介

民国二十八年（1939年），王广厚出生于安徽省合肥市肥西县三河镇。

1963年，王广厚毕业于北京师范大学物理系。9月在南京大学外语系修习英文（至1967年12月）

1968年，王广厚结束修习之后，留南京大学物理系任教。

1980年6月，王广厚作为访问学者，前往美国纽约州立大学物理系（至1982年8月）。

1990年10月，王广厚作为客座教授，前往德国萨尔兰大学新材料研究所（至1991年10月）。

2011年12月9日，王广厚当选为中国科学院数学物理学部院士。

王广厚科研成就

科研综述

王广厚在国际上首先提出区分异同位素团簇和相同同位素团簇，发现了溅射离子团簇的同位素效应。首先观察到硅团簇表面振动模及其量子特性、氟化锂团簇一阶和多阶拉曼散射和声学声子增强效应。发现包裹团簇的纳米喷射以及金团簇在硅晶表面形成的纳米结构具有多道共振隧穿特性。建立了过渡金属团簇经历金属—非金属、磁性—非磁性转变的尺寸方程。揭示了金属原子线的生长序列及其由原子链状经螺旋多壳结构向晶态的演变规律。带领研究组自行设计和研制成功多台团簇实验装置，并以团簇为基元制备了多种具有奇异性质的纳米结构和材料及量子器件。

学术论著

据2020年4月南京大学物理学院官网显示，王广厚在国际刊物上发表学术论文300多篇，他引5000多次。著有《粒子同固体相互作用物理学》两卷本（上、下册，科学出版社，1988，1991）和《团簇物理学》（上海科学技术出版社，2003）等学术著作。

王广厚在中国国内率先开展原子团簇物理的实验和理论研究并取得了一系列创造性成果。他是中国国内最早开展原子团簇物理的实验和理论研究的科学家之一，在中国国内率先翻译了“团簇”范畴，被学术界认可。从1992年起，他带领课题组自行设计和研制成功三代团簇实验装置，发展了可与平面工艺相兼容的低能团簇束流淀积技术，是国际上最早研究支撑团簇和团簇组装纳米结构的单位之一。（《神州学人》评）