常凯简介
基本资料
中文名：常凯
国籍：中国
民族：汉族
籍贯：安徽省潜山市
出生日期：1964年8月
毕业院校：北京师范大学
职业：教育科研工作者
主要成就：2019年当选中国科学院院士
职称：中科院半导体所超晶格与微结构国家重点实验室研究员
性别：男
人物经历
1964年8月，常凯出生于安徽省潜山市。
1984年，毕业于阜阳师范学院（现阜阳师范大学）物理系。
1996年，从北京师范大学物理系凝聚态物理专业毕业并获博士学位。
1996年至1998年，在中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室做博士后。
1998年至2001年，赴比利时安特卫普大学物理系合作研究。
2001年，获得百人计划资助。同年，任中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室研究员。
2005年，获得国家杰出青年基金资助。
2006年，获得香港中文大学杨振宁奖学金资助。
2006—2010年，获得杰出青年基金资助。
2013年，入选国家百千万人才工程。
2019年11月，当选为中国科学院院士。
主要成就
常凯科研成就
科研综述
常凯从理论上预言了自组织InAs量子点和V型量子线中非对称的Stark效应，并被国际上著名的实验组证实和引用。在国际上较早开展对球形层状量子点的理论研究，并预言了可能存在II型激子。发现耦合量子阱中磁激子的基态是长寿命的暗激子，解释了A.C.Gossard小组观测到的反常实验现象。他系统细致地研究了不同自旋注入方案的优缺点。尤其是稀磁半导体量子点注入方案可以克服强磁场的障碍，研究了稀磁半导体二维电子气的纵向磁阻。在此基础上，考虑自旋－轨道耦合，发现在弱磁场下可以在弱极化体系中实现共振自旋极化。
常凯提出利用半导体极性界面调控半导体量子结构能隙，发现极性界面处存在极强的局域电场，可以显著的改变其能带结构，后得到实验证实。这为人工设计半导体物性打开了新的途径，在半导体结构中实现宽光谱光电响应（从红光到太赫兹）；在主流半导体（Ge,InN）中实现拓扑相，突破了拓扑材料仅限于含有重
社会任职
时间 | 职务 |
|---|---|
2013年 | 第17届窄能隙半导体物理会议主席 |
2015年 | （德国）第18届国际程序委员会委员 |
2015年 | （日本）二维电子气物理会议程序委员会委员 |
2016年 | 第33届国际半导体物理大会程序委员会主席 |
2016年 | 中国物理协会凝聚态理论与统计物理专业委员会委员 |
半导体物理专业委员会委员 | |
2022年12月 | 中国民主同盟第十三届中央委员会常委 |
2023年 | 第十四届全国政协委员、常委 |
参考资料来源： | |
人物评价
常凯是中国半导体物理领域的优秀学科带头人。（北京师范大学物理系评）
常凯是半导体量子点的g因子调控理论积极探索者。（清华大学低维量子物理实验室评）
常凯是个科学态度严谨，十分注重理论和实践相结合的研究者。（中国科学院半导体研究所评）
常凯是个非常专注的人，一直深耕半导体基础物理研究领域。（中科院科教融合网）