梁春广简介

1939年2月，梁春广出生于广东梅县城南乡圣人寨。1954年，梁春广入读梅县高级中学。1957年考入中山大学，1961年毕业于中山大学物理系。

1961年从中大毕业后分配到电子部第十三研究所工作，担任十三所第一研究室技术员、课题组长，第一研究室主任、教授级高级工程师。

1986年6月至1987年12月，梁春广曾作为高级访问学者赴德国赫兹通信研究所（HHI）任客座研究员，成功研制出“分子束外延配超晶格调制掺杂场效应器件”。

1986年至1987年，梁春广在德国赫兹通信技术研究所（HHI）研制出“分子束外延超晶格场效应器件”，提出最佳材料和器件结构及非合金欧姆接触法。

1988年回国后，梁春广担任第十三所副总工程师、科技委主任；1990年，梁春广任第十三所副所长，主要领导和组织研究所的战略规划和科技发展。

1989年后，梁春广担任国家863计划光电子主题第二、三届专家组成员，第四届专家组组长；国家自然科学

科研成就

科研综述

梁春广一直从事半导体器件设计与研制工作，他最主要的科研成果是20世纪80年代研制成功中国国内第一代GaAsFET，而GaAsFET是集成电路的核心元件。在全面的器件参数、结构和工艺设计，解决亚微米删制作难题等方面作出突出贡献。

20世纪世纪90年代后，梁春广主要致力于两项工作。一项是极力推动“半导体照明灯”在国内的发展；另一项是“纳米半导体科学技术”。这是当时最具吸引力的科技项目，是推动下一轮技术革命的突破口和制高点。

2002年，梁春广创办《微纳电子技术》杂志，为促进中国纳米电子技术发展构造一个学术论坛。

论文著作

1.《2．5Gb/s　PIN-HEMT光接收机噪声精确模拟》——电子学报；1996年11期

2.《偏置相关GaAs　MESFET建模分析》——半导体情报；1996年02期

3.《光电器件模型在微波非线性电路模拟器中的实现》——通信学报；1998年02期

4.《PIN光电探测器

参考资料来源

“（梁春广）在四十多年的科研生涯中，他无私奉献，奋力拼搏，潜心钻研，严谨治学，弘扬‘两弹一星’精神，自觉践行‘三个代表’重要思想，为我国半导体微电子、光电子事业的振兴和发展，屡建功勋，硕果累累。”（中国工程院评）

如果用三个词来概括梁春广的特点，那就是：认真、诚实、有责任心。做科研项目的时候，梁春广可以一遍一遍地分析、测量数据，改进设计和工艺，直到达标。（梁春广之女梁亚平评）

2022年10月，梁春广院士广场竣工暨梁春广院士铜像落成揭幕仪式在广东省梅州市梅县区高级中学举行。