陈星弼简介
基本资料
中文名：陈星弼
国籍：中国
民族：汉族
出生地：上海
出生日期：1931年1月28日
逝世日期：2019年12月4日
毕业院校：同济大学
职业：教育科研工作者
主要成就：1999年当选中国科学院院士
籍贯：浙江浦江
人物生平
1931年1月28日，陈星弼出生于上海。
1946年，转读上海敬业中学。
1952年，从同济大学电机系毕业被分配至厦门大学电机系当助教。
1953年，转到南京工学院无线电系（现东南大学信息科学与工程学院）任讲师。
1956年，到中国科学院应用物理研究所进修半导体。
1959年，任教于成都电讯工程学院（现电子科技大学）。
1969年，到773厂支援研制氧化铅摄像管。
1980年，到美国俄亥俄州大学做访问学者。
1981年，转到加州大学伯克利分校，进行新型半导体功率器件的研究。
1983年，任电子科技大学微电子科学与工程系系主任。
1984年6月，任微电子研究所所长。
1993年，到加拿大多伦多大学做访问学者。
1994年，到英国斯旺西大学做访问学者。
1999年，当选为中国科学院学部委员（院士）。
2001年，加入九三学社。
2019年12月4日，在四川成都逝世，享年89岁。
主要成就
陈星弼科研成就
科研综述
陈星弼于20世纪50年代末对漂移晶体管的存贮时间问题在国际上最早作了系统的理论分析。提出新的电荷法基本方程、不均匀介质中镜象电荷方程等。20世纪80年代以来，从事半导体电力电子器件的理论与结构创新方面的研究。从理论上解决了提高p-n结耐压的平面及非平面工艺的终端技术问题，作出了一些理论分析解。在解决MOS功率管中降低导通电阻与提高耐压之间的矛盾问题上作出了系列贡献。发明了耐压层的三种新结构，提高了功率器件的综合性能优值，其中横向耐压层新结构在制备工艺上与常规CMOS和BiCMOS工艺兼容，有利于发展耐高压的功率集成电路。
学术论著
1959年，陈星弼首篇论文《关于半导体漂移三极管在饱和区工作时的储存时间问题》发表于《物理学报》；之后还写出了《论晶体管电荷控制法的基础》《一维不均匀媒质中的镜像法》《表面复合的漂移及扩散运动的影响》《小注入下晶体管I_c-V_（BE）特性的指数
社会任职
时间 | 担任职务 |
|---|---|
1992年—1994年 | 加拿大多伦多大学客座教授 |
1994年—1995年 | 英国威尔斯大学天鹅海分校电子工程系客座教授 |
2009年 | 第六届四川省科学技术顾问团顾问 |
电子工业部第十三所专用集成电路国家级重点实验室学术委员会主任委员 | |
中国国家自然科学基金评审员 | |
美国纽约科学院半导体学报编委 | |
中国电子学会半导体与集成技术委员会委员 | |
中国电子学会四川省分会理事兼半导体与集成技术分会主任委员 | |
国际SSICT程序委员及分会主席及一届中德友好电子周分会主席 |
个人生活
家庭背景
陈星弼出生于官宦之家。祖父曾为清朝武举人，父亲陈德徵就读于杭州之江大学化学系，母亲徐呵梅是浙江余姚人，在上海大学读文学。
婚姻家庭
陈星弼妻子唐俊奇，为成电一系教师。两人育有一子，在美国从事科研工作。
人物评价
“陈院士（陈星弼）的发明是中国人民的智慧瑰宝，也是全世界人民的共同智慧财产，该专利发明标志着半导体功率器件发展进入了一个叫作‘超级结’功率器件的新时代。”（美国德克萨斯大学电子工程系终身正教授周电评）
“在功率器件领域，他（陈星弼）曾通过出色的研究工作单枪匹马让中国的研究进入国际学术舞台。与我们现在的科研条件相比，他是在资源极其有限的情况下实现这一巨大成就的。”（加拿大科学院院士、前院长，中国科学院外籍院士Jamal评）
人物影响
教育发展基金
2020年7月16日，陈星弼·科道芯国教育发展基金在电子科技大学成立，成立该基金是向陈星弼表达景仰和缅怀之情，鼓励科研人员在微电子领域努力耕耘、认真实践，做出更大的贡献。